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晶振分類

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  • 首頁(yè)進(jìn)口晶振1MAA19200ACA晶振,KDS熱敏晶振,大真空金屬面晶振

      1MAA19200ACA晶振,KDS熱敏晶振,大真空金屬面晶振

    • 產(chǎn)品型號(hào):18951093
    • 頻率:19.200MHZ
    • 尺寸:2.5*2.0mm
    • 產(chǎn)品介紹:方寸晶振藏萬(wàn)象,科技微芯筑未來(lái)當(dāng)手機(jī)精準(zhǔn)接收信號(hào),當(dāng)GPS鎖定前行方位,當(dāng)智能手環(huán)記錄健康數(shù)據(jù),我們往往忽略了這些便捷背后的隱形指揮官晶振.1MAA19200ACA晶振、K...
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        方寸晶振藏萬(wàn)象,科技微芯筑未來(lái)當(dāng)手機(jī)精準(zhǔn)接收信號(hào),當(dāng)GPS鎖定前行方位,當(dāng)智能手環(huán)記錄健康數(shù)據(jù),我們往往忽略了這些便捷背后的“隱形指揮官”——KDS晶振代理商晶振.1MAA19200ACA晶振、KDS熱敏晶振與大真空金屬面晶振,尤其是DSR221STH型號(hào),以方寸之軀承載科技重量,用精微特性賦能時(shí)代發(fā)展,彰顯著“小器件大作為”的深刻哲理.
        晶振之妙,在于以精準(zhǔn)特性破解技術(shù)難題.DSR221STH憑借2520的精巧尺寸與0.9mm的超薄高度,打破了設(shè)備小型化與性能穩(wěn)定的矛盾困局;內(nèi)置的NTC熱敏電阻,更使其在-40℃至85℃的極端環(huán)境中仍能維持10PP的頻率精度,7PF的負(fù)載電容適配性更讓其成為多設(shè)備的“通用心臟”.這種對(duì)細(xì)節(jié)的極致追求,正是科技突破的核心密碼.正如大真空金屬面進(jìn)口晶振的耐用性與KDS熱敏晶振的穩(wěn)定性,都印證了:真正的核心技術(shù),既要經(jīng)得起性能考驗(yàn),更要適配場(chǎng)景需求.
        晶振之用,在于以廣泛應(yīng)用支撐產(chǎn)業(yè)升級(jí).從移動(dòng)電話的通話流暢到GPS/GNSS的定位精準(zhǔn),從可穿戴設(shè)備的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)到UWB技術(shù)的空間感知,DSR221STH等晶振如同神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),串聯(lián)起消費(fèi)電子與物聯(lián)網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)生態(tài).當(dāng)我們驚嘆于折疊屏手機(jī)的輕薄、智能手表的續(xù)航時(shí),實(shí)則是無(wú)源晶振等基礎(chǔ)元器件的微型化、高精度突破,為終端創(chuàng)新提供了可能.這恰如建筑之基石,雖隱于地下,卻支撐起摩天樓宇;基礎(chǔ)器件雖不顯眼,卻決定了產(chǎn)業(yè)的高度與廣度.
        晶振之思,在于以微小創(chuàng)新詮釋發(fā)展邏輯.從DSR211STH針對(duì)不同頻率優(yōu)化高度的精準(zhǔn)設(shè)計(jì),到DSR221STH對(duì)多場(chǎng)景的適配兼容,晶振的迭代史正是“需求驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新”的生動(dòng)注腳.在追求“大突破”的科技浪潮中,這些對(duì)“小器件”的深耕細(xì)作,更顯珍貴.因?yàn)槿魏魏甏蟮目萍妓{(lán)圖,最終都要落實(shí)到每一個(gè)元器件的性能提升上;任何產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí),都離不開基礎(chǔ)器件的堅(jiān)實(shí)支撐.
        方寸之間,藏納科技萬(wàn)象;精微之處,筑就未來(lái)根基.DSR221STH等晶振的故事告訴我們:真正的科技力量,既要有“仰望星空”的戰(zhàn)略眼光,更要有“腳踏實(shí)地”的精工精神.唯有重視每一個(gè)基礎(chǔ)器件的創(chuàng)新,方能讓科技之樹根深葉茂,讓產(chǎn)業(yè)之基堅(jiān)如磐石.
    日本KDS無(wú)源晶振,DSR221STH 可穿戴設(shè)備進(jìn)口晶振

    晶振規(guī)格參數(shù) 1MAA19200ACA貼片石英晶振
    頻率范圍 19.2.000MHZ~5.2.000MHZ
    頻率穩(wěn)定度公差 ±10ppm  ±20ppm
    工作溫度范圍  -40 °C ~ +85°C
    等效串聯(lián)電阻 See ESR Table
    負(fù)載電容  10 pF
    激勵(lì)功率 1mW max., 100µW correlation
    老化@ + 25°C ±3 ppm/yr 
    絕緣電阻(@直流100 v) 500 Ohms @ DC 100V
    儲(chǔ)存溫度范圍 -40°C to +125°C
     

    日本KDS無(wú)源晶振,DSR221STH 可穿戴設(shè)備進(jìn)口晶振


    日本KDS無(wú)源晶振,DSR221STH 可穿戴設(shè)備進(jìn)口晶振

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    日本KDS無(wú)源晶振,DSR221STH 可穿戴設(shè)備進(jìn)口晶振智能手機(jī)晶振
     

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